第367章 MOS (第1/2页)
　　
　　60年的高考，是没有查分这一说的，反正就是考完，等着结果就行，录取通知书大概是在8月开始发。
　　
　　而且以娄晓娥的情况，这年头的第一批是铁定录取不了的，所以时间还要更往后一点，这一批的特点是“可以录取机密专业”。
　　
　　所以娄晓娥和高振东两人并不急，该干嘛还是干嘛，高振东上班，娄晓娥操持家务。
　　
　　——
　　
　　办公室里，高振东正在思考着1274厂的事情。
　　
　　由于技术发展的原因，这个时候MOS（金属-氧化物-半导体）技术并没有完全成形。
　　
　　1274厂的集成电路工艺，还是走的58年提出的PN结隔离的双极型半导体的路子，这也是1274厂自身能力的极限，甚至都已经有点超出了极限了。
　　
　　这就让高振东陷入了纠结，是继续让1274厂走双极型半导体，还是干脆直接上MOS技术？
　　
　　两者之间并不是完全的替代关系，甚至双极型半导体比起MOS半导体来，有不少地方是有明显优势的。
　　
　　比如三级管开关速度更快，可以达到的频率更高，设计阶段成本更低，内部元件精度更高等等。
　　
　　对于高振东来说，他要的是可以在计算机技术方向上能发挥更大作用、具有更大潜力的半导体技术。
　　
　　所以即使集成电路在这个阶段有超小型组装、膜集成电路等其他路线，高振东也没有考虑这些路线，这些路线有其特殊用途，并不是没有前途，可是在计算机这个方向上，它们在可以预见的时间段内，没有任何前途。
　　
　　唯一的问题就是在现阶段，用双极型？还是大跨一步，直接考虑MOS？
　　
　　双极型在集成逻辑门电路方面，在现阶段有其优势。
　　
　　思来想去，高振东还是决定大跨一步，走MOS。
　　
　　双极型的速度是更快，但是这个时候再快也快不到哪里去，其他技术支撑不上也没用，对于计算机来说，早期MOS能达到的数十MHz的速度已经完全足够了。
　　
　　80年代的80286也不过20MHz，在60年代，双极型更快的开关速度对于高振东的需求来说，并没有什么意义。
　　
　　双极型内部元件精度虽然高一些，但是作为数字电路来说，只要能满足在规定的条件下完成预想的状态转移即可，元件精度高并没有什么用处，这不是模拟电路，要求大不相同。
　　
　　再说了，双极型的元件精度高，也只是相对MOS来说的，真实差距甚至连五十步笑百步都算不上。
　　
　　要说在集成电路设计阶段成本低，在这個阶段就是个伪命题，人力成本在这时候不怎么算的。
　　
　　MOS还有一个毛病是某个芯片一旦定型后，修改困难，修改成本很高。
　　
　　但对于高振东要做的事情来说，这个根本就不是问题。
　　
　　作为大规模使用的芯片，不论是逻辑门集成电路还是CPU、DRAM，都是定型了就不会随便修改，会大量量产的东西，所以这一点在这方面根本就不是问题。
　　
　　最重要的一点是，高振东清楚的知道，打从CPU和半导体存储器一开始，就没有双极型什么事儿，双极型做集成逻辑门电路是不错，但是用来做CPU和半导体存储器，根本用不上。
　　
　　或者说，在这方面，从技术和经济角度出发，人们都从来没有青睐过双极型半导体。
　　
　　Intel 4004，10μm的PMOS。
　　
　　8008，10μm的PMOS。
　　
　　首个4Kbit的DRAM，8μm的NMOS。
　　
　　首个16Kbit的DRAM，5μm的NMOS。
　　
　　大名鼎鼎的8086/8088，3μm的NMOS。
　　
　　彻底巩固了Intel数十年基业的80286，1.5μm的CMOS。
　　
　　至于为什么大家都不约而同的在这个应用方向上选择了MOS技术，那就不得不说MOS的优点了。
　　
　　这玩意工艺简单！比双极型简单得多，不是一星半点那种！
　　
　　抛开复杂的技术原理等等不说，简单总结，以PMOS和双扩散外延双极型为例，要达到差不多同样的效果，两者工艺差别非常巨大。
　　
　　PMOS外延次数1次，工艺步数最多45步，高温工艺2步，光刻最多5次。
　　
　　而双扩散外延双极型的这些数字，分别是4次以上、130步、10步、8次。
　　
　　工序更少、工艺更简单、良品率更高
　　
　　对于量产来说，这些特么可都是钱呐！
　　
　　而且对于现在的高振东来说，工艺步数越少，就意味着成功率越高。
　　
　　两者用到的基础技术实际上是差不多的，最大的区别是在晶体管的工作原理上，所以在这个阶段的技术难度上，有了高振东当知识的搬运工，更晚、更先进的MOS甚至要比双极型要低。
　　
　　
　　
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